FR2827720A1 - Surface acoustic wave device with low surface loss made up of a piezoelectric substrate, an assembly of electrodes and coated with a thin layer of dielectric material - Google Patents

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Abstract

L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surfaces (ou dispositif SAW) à faibles pertes et s'applique plus particulièrement aux dispositifs SAW fonctionnant dans les bandes de fréquences supérieures au gigahertz.Le dispositif selon l'invention comprend un substrat piézoélectrique (2), un ensemble d'électrodes conductrices (3), et une couche mince (4) d'un matériau diélectrique de dureté et de permittivité diélectrique supérieures à celle du substrat, déposée de façon sensiblement uniforme sur la surface dudit substrat, les électrodes étant disposées sur ladite couche. Avantageusement, le matériau diélectrique (4) est constitué de dioxyde de Titane TiO2 et le substrat (2) est en Niobate de Lithium (LiNbO3 ) ou Tantalate de Lithium (LiTaO3 ).The invention relates to a low-loss surface acoustic wave device (or SAW device) and more particularly applies to SAW devices operating in frequency bands above gigahertz. The device according to the invention comprises a piezoelectric substrate (2 ), a set of conductive electrodes (3), and a thin layer (4) of a dielectric material of hardness and dielectric permittivity greater than that of the substrate, deposited substantially uniformly on the surface of said substrate, the electrodes being arranged on said layer. Advantageously, the dielectric material (4) consists of titanium dioxide TiO2 and the substrate (2) is made of Lithium Niobate (LiNbO3) or Lithium Tantalate (LiTaO3).

Description

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DISPOSITIF A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE A FAIBLES PERTES AVEC COUCHE DIÉLECTRIQUE DE FORTE PERMITTIVITÉ
L'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surfaces (ou dispositif SAW selon l'abréviation de l'expression anglo-saxonne Surface Acoustic Wave ) et s'applique plus particulièrement aux dispositifs SAW fonctionnant dans les bandes de fréquences supérieures au gigahertz.
LOW-LOSS SURFACE ACOUSTIC WAVE DEVICE WITH HIGH PERMITTIVITY DIELECTRIC LAYER
The invention relates to a surface acoustic wave device (or SAW device according to the abbreviation of the term Surface Acoustic Wave) and more particularly to SAW devices operating in the frequency bands above the Gigahertz.

Durant ces vingt dernières années, la demande croissante de l'industrie des télécommunications mobiles a conduit à l'introduction d'un nouveau type de filtre SAW, dont les caractéristiques sont essentiellement de faibles pertes, une très petite taille, et qui peuvent fonctionner à des fréquences allant jusqu'à 2 ou 3 GHz, voire au-delà.  During the last twenty years, the growing demand of the mobile telecommunications industry has led to the introduction of a new type of SAW filter, whose characteristics are mainly low losses, a very small size, and which can operate at frequencies up to 2 or 3 GHz, or even beyond.

Les dispositifs SAW sont généralement formés sur un substrat piézoélectrique mono ou polycristallin. Parmi les plus utilisés, on peut citer les substrats monocristallins de LiNbOg (Niobate de Lithium) et LiTa03 (Tantalate de Lithium). Les coupes les plus utilisées pour réaliser des filtres SAW avec de faibles pertes de propagation sont habituellement désignés respectivement par 64 Y-X LiNbOg et et 36 Y-X LiTaOg", où X, Y, Z sont les axes cristallographiques du cristal, s'agissant en effet de substrats monocristallins dont le plan de coupe subit une rotation autour de l'axe X respectivement de 640 pour LiNbOg et 360 pour LiTa03 (par rapport à une orientation du plan de coupe normale à l'axe Y) et dans lequel la direction de propagation de l'onde acoustique de surface se fait selon l'axe X. Le type des ondes SAW qui peuvent se propager dans ces coupes est connu sous le nom de leaky SAW et est caractérisé par un très fort couplage piézoélectrique, une très grande vitesse des ondes, ce que est positif, mais aussi par une faible radiation des ondes de volume, conduisant à des pertes.  SAW devices are generally formed on a mono or polycrystalline piezoelectric substrate. Among the most used, there may be mentioned monocrystalline substrates of LiNbOg (Lithium Niobate) and LiTaO3 (Lithium Tantalate). The most used cuts for producing SAW filters with low propagation losses are usually designated respectively by 64 YX LiNbOg and 36 YX LiTaOg ", where X, Y, Z are the crystallographic axes of the crystal, in effect monocrystalline substrates whose cutting plane is rotated about X respectively by 640 for LiNbOg and 360 for LiTa03 (relative to an orientation of the normal Y-section cutting plane) and in which the direction of propagation of the surface acoustic wave is along the X axis. The type of SAW waves that can propagate in these sections is known as leaky SAW and is characterized by a very strong piezoelectric coupling, a very high wave velocity , which is positive, but also by a weak radiation of the waves of volume, leading to losses.

Les coupes 36 Y-X LiTa03 et 64 Y-X LiNbOg étaient choisies dans les réalisations de l'art antérieur pour minimiser les pertes de propagation. The 36 Y-X LiTaO3 and 64 Y-X LiNbOg sections were chosen in the prior art embodiments to minimize propagation losses.

Cependant, ces angles de coupe donnent un résultat optimal (en terme de pertes de propagation) pour des ondes se propageant sur un substrat homogène et en négligeant l'effet mécanique d'une métallisation. Dans le cas des filtres modernes, avec pertes minimales, les ondes ne se propagent plus sur un substrat homogène puisque l'on dépose un réseau métallique à la surface. L'épaisseur de la couche d'Aluminium formant les électrodes peut However, these cutting angles give an optimal result (in terms of propagation losses) for waves propagating on a homogeneous substrate and neglecting the mechanical effect of a metallization. In the case of modern filters, with minimal losses, the waves no longer propagate on a homogeneous substrate since a metal network is deposited on the surface. The thickness of the aluminum layer forming the electrodes can

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être de 8% à 10% de la longueur d'onde de l'onde acoustique. D'autre part, pour réduire les pertes d'insertion ; on est en général conduit à utiliser la réflexion des ondes de surface par des électrodes métalliques. La présence des électrodes sur le substrat change la propagation des ondes et les coupes optimales ne le sont plus.  be 8% to 10% of the wavelength of the acoustic wave. On the other hand, to reduce insertion loss; In general, the reflection of surface waves by metal electrodes is used. The presence of the electrodes on the substrate changes the wave propagation and the optimal cuts are no longer.

Par ailleurs, dans le cas de LiNb03, contrairement à LiTa03, l'angle de coupe qui permet de rendre minimales les pertes de propagation n'est pas le même dans l'hypothèse d'une surface libre et dans celle d'une surface entièrement métallisée avec couche du métal mince. En pratique, du fait de la présence d'électrodes séparées par des espaces libres, il n'y a donc pas de coupe optimale pour le Niobate de Lithium.  Moreover, in the case of LiNb03, unlike LiTa03, the angle of cut that minimizes the propagation losses is not the same in the case of a free surface and in that of a fully surface. metallized with thin metal layer. In practice, because of the presence of electrodes separated by free spaces, there is therefore no optimal cut for lithium niobate.

Il est connu que l'augmentation de l'épaisseur des électrodes par rapport à la longueur d'onde SAW dans les coupes dont il est fait référence ci-dessus est à l'origine notamment de l'émission d'ondes de volume par les électrodes et de la diffraction d'une partie des ondes de surface en ondes de volume, résultant dans des pertes de propagation accrues des ondes de surface. On appelle LSAW les ondes de surfaces qui sont accompagnées par une radiation d'ondes du volume (abréviation de l'expression anglosaxonne Leaky Surface Acoustic Wave))). En ce qui concerne la théorie des pertes de propagation des LSAW dans un filtre SAW utilisant une électrode épaisse sur un substrat de type 64 Y-X LiNb03 ou 36 Y-X LiTa03' on pourra se référer à Plessky et ai. (V. S. Plessky and C. S. Hartmann, Proc. 1993 IEEE Ultrasonics Symp., pp. 1239-1242) et Edmonson et al.  It is known that the increase of the thickness of the electrodes with respect to the wavelength SAW in the sections referred to above is at the origin in particular of the emission of volume waves by the electrodes and diffraction of a portion of the surface waves in volume waves, resulting in increased propagation losses of surface waves. LSAW is the surface wave that is accompanied by a wave radiation of the volume (abbreviation of the Anglesaxon Leaky Surface Acoustic Wave))). As regards the theory of LSAW propagation losses in a SAW filter using a thick electrode on a Y-X LiNbO 3 or Y-X LiTaO 3 type substrate, reference may be made to Plessky et al. (S. S. Plessky and C.S. Hartmann, Proc.V 1993 IEEE Ultrasonics Symp., Pp. 1239-1242) and Edmonson et al.

(P. J. Edmonson and C. K. Campbell, Proc. 1994 IEEE Ultrasonics Symp., pp. 75-79). Ainsi, pour des applications pratiques, l'émission des ondes du volume doit être minimisée afin de diminuer les pertes de propagation. (Edmonson J. J. and Campbell C. Campbell, Proc., 1994 IEEE Ultrasonics Symp., Pp. 75-79). Thus, for practical applications, the emission of the waves of the volume must be minimized in order to reduce the propagation losses.

Dans le brevet US 6,037, 847 (Fujitsu Limited), le problème est résolu en proposant un angle de coupe supérieur à celui habituellement utilisé, à savoir un angle de coupe compris entre 390 et 460 pour LiTa03 et un angle de coupe compris entre 66 et 74 pour LiNb03. Il apparaît dans ce document qu'avec ces angles de coupe, il est possible d'optimiser l'épaisseur d'électrode pour rendre minimales les pertes de propagation des ondes de surface LSAW. Par ailleurs, le brevet DE 197 58 195 A 1 propose un dispositif SAW avec un substrat de type LiNb03 ou LiTa03 dont les électrodes en aluminium pur ou composite sont recouvertes d'une couche  In US Pat. No. 6,037, 847 (Fujitsu Limited), the problem is solved by providing a cutting angle greater than that usually used, namely a cutting angle of between 390 and 460 for LiTaO 3 and a cutting angle of between 66 and 74 for LiNbO3. It appears in this document that with these cutting angles, it is possible to optimize the electrode thickness to minimize LSAW surface wave propagation losses. Moreover, the patent DE 197 58 195 A 1 proposes a SAW device with a LiNbO3 or LiTaO3 type substrate whose pure aluminum or composite electrodes are covered with a layer

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dure d'un oxyde d'aluminium permettant une optimisation des pertes de propagation pour un angle de coupe donné du substrat piézoélectrique. Cette solution n'est cependant pas complètement satisfaisante car elle nécessite de procéder au dépôt d'une couche sur le dispositif SAW finalisé, en maîtrisant l'épaisseur de la couche sur les électrodes et entre les électrodes, rendant le procédé de fabrication nettement plus compliqué.  durometer of an aluminum oxide for optimizing the propagation losses for a given cutting angle of the piezoelectric substrate. However, this solution is not completely satisfactory since it requires depositing a layer on the finalized SAW device, controlling the thickness of the layer on the electrodes and between the electrodes, making the manufacturing process much more complicated. .

L'invention propose un dispositif SAW pouvant fonctionner dans des bandes de fréquence allant jusqu'à 2 ou 3 GHz avec des pertes de propagation des ondes de surface minimales, dans lequel il est possible d'utiliser des substrats piézoélectriques de type LiNb03 ou LiTa03 avec des angles de coupe usuels. L'invention propose également un moyen de régler le coefficient de couplage piézoélectrique obtenu pour l'adapter à la bande du filtre que l'on veut réaliser. Pour cela, l'invention propose de déposer sur le substrat, avant la mise en place des électrodes, une couche mince uniforme d'un matériau présentant une grande constante diélectrique et de forte dureté, par exemple de type Ti02 (dioxyde de Titane). La déposante a montré qu'un tel dispositif peut être optimisé pour rendre les pertes de propagation minimales avec des angles de coupe donnés, y compris des angles de coupe usuels, et se montre particulièrement prometteur avec le Niobate de Lithium, dont les potentialités se voient élargies grâce au dispositif selon l'invention.  The invention proposes a SAW device that can operate in frequency bands up to 2 or 3 GHz with minimal propagation losses of the surface waves, in which it is possible to use piezoelectric substrates of LiNbO3 or LiTaO3 type with common cutting angles. The invention also proposes a means of adjusting the piezoelectric coupling coefficient obtained to adapt it to the filter band that is to be produced. For this, the invention proposes to deposit on the substrate, before the introduction of the electrodes, a uniform thin layer of a material having a high dielectric constant and high hardness, for example of TiO 2 type (titanium dioxide). The applicant has shown that such a device can be optimized to make the minimum propagation losses with given cutting angles, including conventional cutting angles, and is particularly promising with Lithium Niobate, whose potentialities are seen widened thanks to the device according to the invention.

Plus précisément, l'invention concerne un dispositif à ondes acoustiques de surface à faibles pertes comprenant un substrat piézoélectrique, un ensemble d'électrodes conductrices, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche mince d'un matériau diélectrique de dureté et de permittivité diélectrique supérieures à celle du substrat, déposée de façon sensiblement uniforme sur la surface dudit substrat, les électrodes étant disposées sur ladite couche.  More specifically, the invention relates to a low-loss surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate, a set of conductive electrodes, characterized in that it further comprises a thin layer of a dielectric material of hardness and dielectric permittivity greater than that of the substrate, deposited substantially uniformly on the surface of said substrate, the electrodes being disposed on said layer.

D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qu suit, illustrée par les figures qui représentent : - les figure 1A et 1B, des schémas rappelant la définition de l'angle de coupe d'un cristal ; - la figure 2, le schéma d'un exemple de réalisation du dispositif selon l'invention ; - la figure 3, une coupe partielle du schéma de la figure 2 ;  Other advantages and characteristics of the invention will appear on reading the description which follows, illustrated by the figures which represent: - Figures 1A and 1B, diagrams recalling the definition of the cutting angle of a crystal; FIG. 2 is a diagram of an exemplary embodiment of the device according to the invention; - Figure 3, a partial section of the diagram of Figure 2;

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ta figure 4, un diagramme montrant des courbes représentant en fonction de l'angle de coupe, l'épaisseur optimale des électrodes en fonction de l'épaisseur de la couche de Tir 2 avec un substrat de LiTa03 ;
La figure 5, un diagramme montrant des courbes représentant en fonction de l'angle de coupe, l'épaisseur optimale des électrodes en fonction de l'épaisseur de la couche de Tir 2 avec un substrat de LiNbOg.
FIG. 4 is a diagram showing curves representing, as a function of the cutting angle, the optimum thickness of the electrodes as a function of the thickness of the firing layer 2 with a LiTaO 3 substrate;
FIG. 5, a diagram showing curves representing, as a function of the cutting angle, the optimum thickness of the electrodes as a function of the thickness of the firing layer 2 with a LiNbOg substrate.

Les figures 1A et 1B illustrent par des schémas la définition des angles de coupes utilisée dans la suite. Les axes X, Y, Z sont les axes cristallographiques du cristal. La figure 1A montre une plaque de coupe Y-X, c'est-à-dire que la normale au plan de coupe est l'axe Y et que la direction de propagation est l'axe X. On définit sur cette figure les directions w (suivant la largeur de la plaque),/ (suivant sa longueur, dans la direction de propagation), et t, perpendiculaire à la plaque. Une coupe et un angle de propagation sont définis en partant de la coupe Y-X et en appliquant trois rotations successives. Dans le cas qui nous intéresse ici, représenté sur la figure 1B, une seule rotation est appliquée autour de/, d'un angle 0. La propagation se fait suivant la direction 1 de la plaque tournée. Le repère initial (XYZ) devient après rotation (XY'Z'). On appelle coupe 0 Y-X une coupe d'un cristal telle qu'elle est définie sur la figure 1 B.  Figures 1A and 1B illustrate by diagrams the definition of the cutting angles used in the following. The X, Y, Z axes are the crystallographic axes of the crystal. FIG. 1A shows a cutting plate YX, that is to say that the normal to the plane of section is the Y axis and that the direction of propagation is the X axis. In this figure, the directions w are defined ( following the width of the plate), / (along its length, in the direction of propagation), and t, perpendicular to the plate. A section and an angle of propagation are defined starting from the section Y-X and applying three successive rotations. In the case of interest here, shown in Figure 1B, a single rotation is applied around /, an angle 0. The propagation is in the direction 1 of the rotated plate. The initial mark (XYZ) becomes after rotation (XY'Z '). Y-X is a section of a crystal as defined in FIG. 1B.

Les pertes dans les structures à ondes acoustiques de surface LSAW s'expliquent notamment par des pertes de propagation dues à l'excitation et à la diffusion d'ondes de volumes lentes ( slow shear waves", en anglais), et à d'autres effets de type pertes ohmiques, c'est à dire due à résistance des électrodes. Ainsi, comme cela a été expliqué précédemment, dans le cas de dispositifs LSAW avec substrat de Tantalate de Lithium (LiTa03) par exemple, la coupe 36 Y-X était couramment utilisée car elle était réputée rendre minimales les pertes de propagation sur surface libre. Mais il apparaît que cette coupe n'est pas optimale lorsque la masse des électrodes n'est plus négligeable comparée à la longueur d'onde de l'onde acoustique qui se propage (typiquement, épaisseur de 8% à 12 % de la longueur d'onde).  The losses in the LSAW surface acoustic wave structures can be explained in particular by propagation losses due to the excitation and diffusion of slow-wave waves (in English), and to other ohmic loss type effects, ie due to resistance of the electrodes Thus, as explained previously, in the case of LSAW devices with lithium tantalate substrate (LiTa03) for example, the section 36 YX was commonly used because it was deemed to minimize the loss of propagation on free surface, but it appears that this cut is not optimal when the mass of the electrodes is no longer negligible compared to the wavelength of the acoustic wave that occurs. propagation (typically, 8% to 12% wavelength thickness).

L'invention propose un dispositif à ondes acoustiques de surface à faibles pertes de propagation, y compris dans les applications de filtrage dans les bandes gigaherz, dont un exemple de réalisation est illustré sur la  The invention proposes a surface acoustic wave device with low propagation losses, including in gigaherz band filtering applications, an exemplary embodiment of which is illustrated in FIG.

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figure. 2. Une coupe partielle agrandie du schéma de la figure 2 est représentée sur la figure 3. Sur ces figures, le dispositif SAW 1 comprend un substrat piézoélectrique 2 ainsi qu'un ensemble d'électrodes conductrices 3.  Fig. 2. An enlarged partial section of the diagram of FIG. 2 is shown in FIG. 3. In these figures, the SAW device 1 comprises a piezoelectric substrate 2 and a set of conductive electrodes 3.

Il s'agit par exemple d'électrodes réalisées en Aluminium pur (AI), en alliage Aluminium/Cuivre (AI/Cu), en Cuivre pur (Cu) ou en Or (Au). They are, for example, electrodes made of pure aluminum (AI), aluminum / copper alloy (AI / Cu), pure copper (Cu) or gold (Au).

Selon l'invention, une couche diélectrique mince 4, de forte dureté, est déposée sensiblement uniformément sur la surface 21 du substrat, les électrodes étant disposées sur la surface 41 de ladite couche diélectrique 4.  According to the invention, a thin dielectric layer 4, of high hardness, is deposited substantially uniformly on the surface 21 of the substrate, the electrodes being disposed on the surface 41 of said dielectric layer 4.

La déposante a montré qu'il est possible avec un tel dispositif de rendre minimales les pertes de propagation, comme cela sera explicité par la suite, en choisissant pour la couche 4 un matériau dure de forte permittivité diélectrique, c'est-à-dire dont la dureté et la permittivité diélectrique sont au moins supérieures à celle du substrat. La dureté est définie ici par rapport à la vitesse de propagation des ondes acoustiques dans le matériau. Par matériau dur, on veut signifier ici que la vitesse des ondes acoustiques se propageant dans le matériau formant la couche 4 est plus grande que la vitesse des ondes acoustiques se propageant dans le substrat. The applicant has shown that it is possible with such a device to minimize the propagation losses, as will be explained later, by choosing for the layer 4 a hard material of high dielectric permittivity, that is to say whose hardness and dielectric permittivity are at least greater than that of the substrate. The hardness is defined here with respect to the propagation velocity of the acoustic waves in the material. By hard material, it is meant here that the velocity of the acoustic waves propagating in the material forming the layer 4 is greater than the speed of the acoustic waves propagating in the substrate.

La déposante a montré qu'un matériau particulièrement intéressant

Figure img00050001

pour le dispositif selon l'invention est l'oxyde de Titane (TiO,) qui réunit à la fois les conditions requises de dureté et de permittivité diélectrique (la permittivité diélectrique de Ti02 est sensiblement supérieure à celle du Tantalate de Lithium par exemple). D'autres matériaux sont envisageables, comme par exemple l'oxyde de Niobum (Nb2Os)'Ces deux matériaux sont par ailleurs utilisés dans les technologies électroniques, par exemple pour la production de condensateurs, et leur technologie est donc bien maîtrisée. The applicant has shown that a particularly interesting material
Figure img00050001

for the device according to the invention is titanium oxide (TiO 2) which combines both the required hardness and dielectric permittivity conditions (the dielectric permittivity of TiO 2 is substantially greater than that of lithium tantalate, for example). Other materials are conceivable, such as for example Niobium oxide (Nb 2 O 5). Both materials are also used in electronic technologies, for example for the production of capacitors, and their technology is therefore well controlled.

On montre maintenant des exemples de résultats de simulation obtenus avec un dispositif SAW avec substrat de Tantalate de Lithium (LiTa03) et avec substrat de Niobate de Lithium (LiNb03) sur lesquels est déposée une couche mince d'oxyde de Titane, les électrodes agencées sur la couche d'oxyde de Titane étant en Aluminium. La structure choisie ici à titre d'exemple pour procéder aux simulations est un résonateur synchrone avec un transducteur long et des réflecteurs relativement courts placés de chaque coté. La méthode de calcul utilisée (méthode FEM/BEM ) est décrite notamment dans Advances in Surface Acoustic Wave Technology, Systems and Applications (Vol. 2) , Eitors C. C. W. Ruppel & T. A. Fjedly, World  Examples of simulation results obtained with a SAW device with a substrate of lithium tantalate (LiTaO 3) and with a lithium niobate substrate (Li NB0 3) on which a thin layer of titanium oxide is deposited, the electrodes arranged on the titanium oxide layer being aluminum. The structure chosen here as an example for carrying out the simulations is a synchronous resonator with a long transducer and relatively short reflectors placed on each side. The calculation method used (FEM / BEM method) is described in particular in Advances in Surface Acoustic Wave Technology, Systems and Applications (Vol.2), Eitors C. C. Ruppel W. & T. A. Fjedly, World

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Scientific (2001), pages 1-82. Les paramètres utilisés sont l'angle de coupe 0, l'épaisseur h des électrodes, l'épaisseur #TiO2 de la couche d'oxyde de Titane et le rapport de métalisation a/p, où a est la largeur d'un doigt d'électrodes et p est la période, comme cela est illustré sur la figure 3. Dans l'exemple décrit ci-dessous, le rapport a/p est fixé à 0, 5.  Scientific (2001), pages 1-82. The parameters used are the cutting angle θ, the thickness h of the electrodes, the thickness # TiO 2 of the titanium oxide layer and the metalization ratio a / p, where a is the width of a metal finger. the electrodes and p is the period, as illustrated in FIG. 3. In the example described below, the ratio a / p is set to 0.5.

Les calculs ont permis de déterminer en fonction des paramètres cités les fréquences de résonance f, et d'antirésonance fa, du résonateur, ainsi que leurs facteurs de qualité respectifs Qr et Qar. D'autres caractéristiques ont été déterminées telles que la vitesse de propagation de l'onde acoustique v, la réflectivité par électrode K, la transductance normalisée an (caractéristique du couplage électromécanique), la capacitance normalisée Cn et la distance résonance-antirésonance R-a-R définie par la relation suivante :

Figure img00060001

qui présente un intérêt direct dans la définition des filtres à éléments d'impédance (IEFs, ou filtres SAW en échelle appelés ladder filters selon l'expression anglo-saxonne). The calculations made it possible to determine, according to the parameters mentioned, the resonator resonator frequencies f and antiresonance fa, as well as their respective quality factors Qr and Qar. Other characteristics have been determined, such as the propagation velocity of the acoustic wave v, the reflectivity by electrode K, the normalized transductance an (characteristic of electromechanical coupling), the normalized capacitance Cn and the resonance-antiresonance distance RaR defined by the following relation:
Figure img00060001

which has a direct interest in the definition of impedance element filters (IEFs, or SAW filters in ladder called ladder filters according to the English expression).

On s'intéresse dans un premier temps aux simulations effectuées avec un substrat de Tantalate de Lithium (LiTaO3).  At first, we are interested in simulations carried out with a substrate of Lithium Tantalate (LiTaO3).

La figure 4 montre en fonction de l'angle de coupe # du cristal de LiTa03, la valeur optimale ho, de l'épaisseur des électrodes normalisée par rapport à la longueur d'onde #0 d'une onde acoustique de surface excitée sur la surface du substrat piézoélectrique, pour différentes valeurs de l'épaisseur h-r, de la couche d'oxyde de titane, données également en fonction de la longueur d'onde #0. La valeur optimale montrée ici est la valeur qui rend les pertes de propagation minimales à la fréquence de résonance f, (et à la

Figure img00060002

fréquence d'anti-resonance). Quatre courbes sont représentées, notées 41 à 44, correspondant respectivement à une épaisseur de la couche de Ti02 de hTo2=0 (pas de couche), hTi02=O, OO5Ào' hTi02=O, 01Bo et h=0, 015Â.. FIG. 4 shows, as a function of the cutting angle # of the crystal of LiTa03, the optimum value h 0 of the thickness of the electrodes normalized with respect to the wavelength # 0 of a surface acoustic wave excited on the surface of the piezoelectric substrate, for different values of the thickness hr, of the titanium oxide layer, also given as a function of the wavelength 0 0. The optimum value shown here is the value that makes the minimum propagation losses at the resonance frequency f, (and at the
Figure img00060002

anti-resonance frequency). Four curves are represented, denoted 41 to 44, respectively corresponding to a thickness of the TiO2 layer of hTo2 = 0 (no layer), hTiO2 = 0.05o0 hTi02 = 0.01Bo and h = 0.015 ..

On retrouve sur la courbe 41 de la figure 4, qu'en l'absence de la couche de Tri02, aucune valeur d'épaisseur des électrodes ne permet de rendre minimales les pertes de propagation autour de 6 =36 , tandis que le choix d'électrodes très minces correspond à un optimum pour une coupe de 36, 7 environ. Par contre, les calculs effectués par la déposante montrent qu'avec l'insertion d'une couche de Tri02, la valeur optimale de l'épaisseur It is found on the curve 41 of FIG. 4 that, in the absence of the TriO 2 layer, no thickness value of the electrodes makes it possible to make the propagation losses around 6 = 36 minimal, while the choice of very thin electrodes corresponds to an optimum for a cut of 36, 7 approximately. On the other hand, the calculations made by the applicant show that with the insertion of a layer of Tri02, the optimum value of the thickness

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des électrodes est finie, même pour des angles situés autour de 36 . Par ailleurs, plus l'épaisseur de la couche de Ti02 est grande, plus l'épaisseur optimale des électrodes l'est aussi. Il apparaît ainsi au vu des résultats montrés sur la figure 4 que pour un angle de coupe 0 usuel autour de 36 , et une épaisseur de la couche de Ti02 comprise sensiblement entre 0, 1% et 2% de la longueur d'onde d'une onde acoustique de surface excitée sur la surface du substrat piézoélectrique, il est possible de trouver l'épaisseur d'électrode h optimale (entre 3% et 10% de la longueur d'onde À) de telle sorte à obtenir un dispositif dont les pertes de propagation sont minimales.  electrodes is finished, even for angles around 36. Moreover, the greater the thickness of the TiO 2 layer, the better the thickness of the electrodes. It thus appears from the results shown in FIG. 4 that for a usual cutting angle θ around 36, and a thickness of the TiO 2 layer approximately between 0.1% and 2% of the wavelength of a surface acoustic wave excited on the surface of the piezoelectric substrate, it is possible to find the optimum electrode thickness h (between 3% and 10% of the wavelength λ) so as to obtain a device whose propagation losses are minimal.

La déposante montre ainsi que grâce au dispositif selon l'invention, il est possible de trouver la combinaison qui minimise les pertes par le choix de 3 paramètres (angle de coupe 6, épaisseur des électrodes ho, et épaisseur de la couche de Ti02 hT,). On peut choisir arbitrairement (dans les limites indiquées) deux de ces paramètres, le troisième est alors déterminé par les courbes de la figure 4. La figure 4 montre ainsi un éventail possible des angles de coupe de 34 à 380, pour illustrer que la coupe dite standard de 36 à 370 peut être optimisée. Mais il est entendu que l'éventail des angles permettant de limiter les pertes de propagation, grâce au dispositif selon l'invention, peut être plus large, typiquement entre 300 et 450. Les calculs effectués montrent qu'à la fréquence d'antirésonance, le comportement est similaire.  The applicant thus shows that, thanks to the device according to the invention, it is possible to find the combination which minimizes the losses by the choice of 3 parameters (cutting angle 6, thickness of the electrodes ho, and thickness of the TiO 2 hT layer, ). Two of these parameters can be chosen arbitrarily (within the limits indicated), the third is then determined by the curves of Figure 4. Figure 4 thus shows a possible range of cutting angles from 34 to 380, to illustrate that the cut said standard from 36 to 370 can be optimized. However, it is understood that the range of angles making it possible to limit the propagation losses, thanks to the device according to the invention, can be wider, typically between 300 and 450. Calculations show that at the antiresonance frequency, the behavior is similar.

Le tableau 1 présenté en annexe donne pour un substrat de Tantalate de Lithium, les valeurs de certains paramètres du filtre selon l'invention (définis ci-dessus), calculées dans les mêmes conditions que précédemment (en utilisant le modèle FEM/BEM) avec une couche diélectrique de TiO2, des électrodes en Aluminium, et un rapport a/p = 0,5. Ce tableau montre les résultats numériques précis obtenus pour quelques configurations particulières, notées A à F, correspondant chacune à une valeur d'angle de coupe et une valeur d'épaisseur d'électrodes, pour différentes valeurs de l'épaisseur de la couche de Tri02.  Table 1 presented in the appendix gives for a substrate of lithium tantalate, the values of certain parameters of the filter according to the invention (defined above), calculated under the same conditions as above (using the FEM / BEM model) with a dielectric layer of TiO2, aluminum electrodes, and a ratio a / p = 0.5. This table shows the precise numerical results obtained for some particular configurations, denoted A to F, each corresponding to a cutting angle value and an electrode thickness value, for different values of the thickness of the layer of Tri02. .

Le tableau 1 apporte notamment les mêmes conclusions que celles tirées de la figure 4, à savoir que le choix des trois paramètres angle de coupe 0, épaisseur des électrodes hop et épaisseur de la couche de TiO2 h- permet, grâce au dispositif selon l'invention, de trouver la combinaison optimale permettant de limiter les pertes de propagation. Ainsi, la déposante  Table 1 provides in particular the same conclusions as those drawn from FIG. 4, namely that the choice of the three cutting angle 0 parameters, the thickness of the hop electrodes and the thickness of the TiO 2 h-layer makes it possible, thanks to the device according to FIG. invention, to find the optimal combination to limit the propagation losses. Thus, the applicant

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a montré qu'il n'y a pas un seul angle optimale mais que pour chaque angle (entre 340 et 380, par exemple, comme le montre la figure 4) et pour une épaisseur raisonnable des électrodes (environ 8% de la longueur d'onde acoustique), on peut trouver l'épaisseur de la couche Tif,, qui minimise les pertes de propagation. Par ailleurs, le Tableau 1 ci-dessus montre également que l'écart entre la fréquence de résonance et d'antirésonance diminue lorsque l'on augmente l'épaisseur de Tir 2. Ceci peut être utilisé lorsque l'on cherche à réduire la bande passante relative du filtre.  showed that there is not a single optimum angle but that for each angle (between 340 and 380, for example, as shown in Figure 4) and for a reasonable thickness of the electrodes (about 8% of the length of acoustic wave), we can find the thickness of the layer Tif ,, which minimizes propagation losses. Furthermore, Table 1 above also shows that the difference between the resonant and antiresonance frequency decreases when the thickness of Shot 2 is increased. This can be used when trying to reduce the band. relative pass-through of the filter.

On considère maintenant les simulations effectuées avec un substrat de Niobate de Lithium (LiNbO3). Comme précédemment, la couche diélectrique est formée d'oxyde de Titane et les électrodes sont en Aluminium.  We now consider the simulations performed with a lithium Niobate substrate (LiNbO3). As before, the dielectric layer is formed of titanium oxide and the electrodes are aluminum.

La figure 5 montre en fonction de l'angle de coupe 6 du cristal de LiNbOg, la valeur optimale hop de l'épaisseur des électrodes normalisée par rapport à la longueur d'onde Xo d'une onde acoustique de surface excitée sur la surface du substrat piézoélectrique, pour différentes valeurs de l'épaisseur hT102 de ta couche d'oxyde de titane (données également en fonction de la longueur d'onde S0). Comme sur la figure 4, la valeur optimale montrée ici est la valeur qui rend les pertes de propagation minimales à la fréquence de

Figure img00080001

résonance f,. Cinq courbes sont représentées, notées 51 à 55, correspondant respectivement à une épaisseur de la couche de Ti02 de h-, =0, 005, hTlo2=0, 010Ào' hW2=0, 015Ào et hW2=0, 020Ào. et hTlo2=0, 025Ào'
On vérifie que sans couche de Ti02 la coupe de 41 est optimale pour une épaisseur d'Aluminium des électrodes très faible. Il apparaît sur ces courbes que grâce au dispositif selon l'invention, il est possible même en utilisant des coupes usuelles du Niobate de Lithium (8 = 410 et 8 = 64 ) de trouver des valeurs d'épaisseur d'électrodes qui minimisent les pertes de propagation. FIG. 5 shows, as a function of the cutting angle θ of the LiNbOg crystal, the optimum value of the electrode thickness normalized with respect to the wavelength λ o of a surface acoustic wave excited on the surface of the electrode. piezoelectric substrate, for different values of the thickness hT102 of the titanium oxide layer (data also as a function of the wavelength S0). As in Figure 4, the optimum value shown here is the value that makes the minimum propagation losses at the frequency of
Figure img00080001

resonance f ,. Five curves are shown, 51 to 55, respectively corresponding to a thickness of the TiO 2 layer of h -1 = 0.005, hTlo 2 = 0.010 → hW 2 = 0.015 Å and hW 2 = 0.020 Å. and hTlo2 = 0, 025Ao '
It is verified that without a TiO 2 layer, the cut of 41 is optimal for a very low aluminum electrode thickness. It appears on these curves that thanks to the device according to the invention, it is possible even by using conventional cuts of lithium niobate (8 = 410 and 8 = 64) to find electrode thickness values which minimize losses. of propagation.

Il apparaît ainsi que pour un angle de coupe 8 usuel, autour de 410 et une épaisseur de la couche de Tir2 comprise sensiblement entre 0, 1% et 3% de la longueur d'onde d'une onde acoustique de surface excitée sur la surface du substrat piézoélectrique, il est possible de fixer l'épaisseur d'électrode h entre 2% et 10% de la longueur d'onde À de telle sorte à obtenir un dispositif dont les pertes de propagation sont minimales.  It thus appears that for a usual cutting angle 8, around 410 and a thickness of the Tir2 layer substantially between 0.1% and 3% of the wavelength of a surface acoustic wave excited on the surface of the piezoelectric substrate, it is possible to set the electrode thickness h between 2% and 10% of the wavelength λ so as to obtain a device whose propagation losses are minimal.

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Par ailleurs, pour un angle de coupe autour de 640 et une épaisseur de la couche de Ti02 comprise sensiblement entre 0, 1% et 3% de la longueur d'onde à, il est également possible de fixer l'épaisseur d'électrode h entre 2% et 10% de la longueur d'onde Ào de telle sorte à obtenir un dispositif dont les pertes de propagation sont minimales. Bien entendu, comme précédemment, la même optimisation peut être faite dans un éventail d'angles de coupe beaucoup plus large (typiquement entre 350 et 650).  Moreover, for a cutting angle around 640 and a thickness of the TiO 2 layer approximately between 0.1% and 3% of the wavelength at, it is also possible to set the thickness of the electrode. between 2% and 10% of the wavelength λ 0 so as to obtain a device whose propagation losses are minimal. Of course, as before, the same optimization can be done in a much broader range of cutting angles (typically between 350 and 650).

Les tableaux 2 et 3 présentés en annexe donnent les valeurs des paramètres obtenus par simulation, respectivement pour un angle de coupe

Figure img00090001

0 = 410 et pour un angle de coupe 0 = 64 , traditionnellement les plus utilisés en pratique. Les différentes configurations correspondant à des couples de valeurs épaisseur de TiO/épaisseur d'électrode sont notées de A'à F'. Toutes les combinaisons des paramètres choisis (A'à F') donnent d'excellents résultats pour les facteurs de qualité Q, à la fréquence de résonance et à la fréquence d'anti-résonance. Ce qui est remarquable notamment, c'est que le coupe 41 Y-XliNbO3 permet des pertes de propagation minimales avec une très forte constante de couplage piézoélectrique. Ainsi, dans l'art antérieur, cet angle de coupe était peu utilisé car était réputé présenter des pertes de propagation élevées. Grâce au dispositif selon l'invention, en choisissant des angles de coupe inférieurs à 410 on peut obtenir un couplage encore plus fort, sans pour autant subir des pertes de propagation fortes, en choisissant correctement l'épaisseur de la couche de Tri02, grâce par exemple aux résultats présentés sur la figure 5 ou dans les tableaux 2 et 3. Tables 2 and 3 presented in the appendix give the values of the parameters obtained by simulation, respectively for a cutting angle.
Figure img00090001

0 = 410 and for a cutting angle 0 = 64, traditionally the most used in practice. The different configurations corresponding to pairs of TiO thickness / electrode thickness values are denoted from A'to F '. All combinations of the chosen parameters (A'-F ') give excellent results for the quality factors Q, the resonant frequency and the anti-resonance frequency. What is remarkable in particular is that the 41 Y-XliNbO3 cut allows minimal propagation losses with a very strong piezoelectric coupling constant. Thus, in the prior art, this angle of cut was little used because was deemed to have high propagation losses. Thanks to the device according to the invention, by choosing cutting angles lower than 410, an even stronger coupling can be obtained, without however suffering strong propagation losses, by correctly choosing the thickness of the layer of TriO 2, thanks to example to the results presented in Figure 5 or in Tables 2 and 3.

La déposante a ainsi montré que dans le cas du Tantalate de Lithium (LiTa03), comme dans le cas du Niobate de Lithium (LiNb03), il est possible grâce au dispositif SAW selon l'invention de rendre minimales les pertes de propagation, même en utilisant des angles de coupe usuels, et avec des épaisseurs d'électrodes suffisantes (au-delà de 5% de la longueur d'onde de propagation de l'onde acoustique) pour réduire la résistance ohmique y compris dans les hautes fréquences, de l'ordre du gigaherz et au-delà.  The applicant has thus shown that in the case of lithium tantalate (LiTaO 3), as in the case of lithium niobate (LiNbO 3), it is possible thanks to the SAW device according to the invention to minimize the propagation losses, even in the case of using conventional cutting angles, and with sufficient electrode thicknesses (beyond 5% of the propagation wavelength of the acoustic wave) to reduce ohmic resistance including in high frequencies, order of the gigaherz and beyond.

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ANNEXE

Figure img00100001
ANNEX
Figure img00100001

<tb>
<tb> On
<tb> e <SEP> ( ) <SEP> h/ <SEP> Q, <SEP> CL <SEP> R-a-R <SEP> v <SEP> (m/s) <SEP> k <SEP> &alpha;0 <SEP> C0
<tb> A <SEP> 34 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 1700 <SEP> 900 <SEP> 4,0% <SEP> 4106 <SEP> 0,136 <SEP> 87. <SEP> 10-5 <SEP> 45. <SEP> 10-5
<tb> B <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 4000 <SEP> 1400 <SEP> 3,9% <SEP> 4109 <SEP> 0,134 <SEP> 86. <SEP> 105 <SEP> 45. <SEP> 10-5
<tb> C <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 16800 <SEP> 2600 <SEP> 3,9% <SEP> 4112 <SEP> 0,132 <SEP> 85. <SEP> 10-5 <SEP> 45. <SEP> 105
<tb> Je360, <SEP> 06 <SEP> 2800 <SEP> 900 <SEP> 4, <SEP> 1% <SEP> 4097 <SEP> 0,156 <SEP> 87. <SEP> 10-5 <SEP> 44.10-5
<tb> E <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 8200 <SEP> 1500 <SEP> 4, <SEP> 1% <SEP> 4099 <SEP> 0,154 <SEP> 86. <SEP> 105 <SEP> 44. <SEP> 10-5
<tb> F <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 07 <SEP> 4700 <SEP> 900 <SEP> 4, <SEP> 1% <SEP> 4085 <SEP> 0, <SEP> 179 <SEP> 86. <SEP> 10-5 <SEP> 43. <SEP> 105
<tb> hTiO2 <SEP> = <SEP> 0,005 <SEP> #0
<tb> 6 <SEP> h/#0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> R-a-R <SEP> v <SEP> (m/s) <SEP> k <SEP> &alpha;0 <SEP> Cr
<tb> A <SEP> 34 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 4100 <SEP> 1600 <SEP> 3,4% <SEP> 4126 <SEP> 0,114 <SEP> 84. <SEP> 10-5 <SEP> 50.10-5
<tb> B <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 17000 <SEP> 2900 <SEP> 3,4% <SEP> 4129 <SEP> 0,113 <SEP> 83. <SEP> 10-5 <SEP> 50. <SEP> 10-5
<tb> C <SEP> 38 <SEP> 0,05 <SEP> #105 <SEP> 7100 <SEP> 3, <SEP> 3% <SEP> 4131 <SEP> 0,111 <SEP> 82. <SEP> 105 <SEP> 50. <SEP> 10-5
<tb> D <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 8300 <SEP> 1600 <SEP> 3,6% <SEP> 4118 <SEP> 0,133 <SEP> 84. <SEP> 10-5 <SEP> 48. <SEP> 105
<tb> E <SEP> 38 <SEP> 0,06 <SEP> #105 <SEP> 3300 <SEP> 3,5% <SEP> 4120 <SEP> 0,131 <SEP> 83. <SEP> 105 <SEP> 48. <SEP> 10-5
<tb> F <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 07 <SEP> 21900 <SEP> 1700 <SEP> 3,7% <SEP> 4107 <SEP> 0,154 <SEP> 84. <SEP> 10-5 <SEP> 47. <SEP> 10-5
<tb> hTiO2 <SEP> = <SEP> 0,010 <SEP> #0
<tb> e <SEP> h/#0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> R-a-R <SEP> v <SEP> (mis) <SEP> K <SEP> a, <SEP> Cn
<tb> A <SEP> 34 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 16200 <SEP> 3300 <SEP> 2,9% <SEP> 4145 <SEP> 0,096 <SEP> 81.10-5 <SEP> 54. <SEP> 10''
<tb> B <SEP> 36 <SEP> 0,05 <SEP> #105 <SEP> 8000 <SEP> 2,9% <SEP> 4147 <SEP> 0,095 <SEP> 80. <SEP> 10-5 <SEP> 54.10-5
<tb> C <SEP> 380, <SEP> 05 <SEP> 15800 <SEP> 38900 <SEP> 2, <SEP> 8% <SEP> 4149 <SEP> 0,096 <SEP> 79. <SEP> 10-5 <SEP> 54. <SEP> 10''
<tb> D <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 85500 <SEP> 3600 <SEP> 3, <SEP> 1% <SEP> 4137 <SEP> 0,113 <SEP> 81. <SEP> 10'' <SEP> 52. <SEP> 10-5
<tb> E <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 45900 <SEP> 10300 <SEP> 3, <SEP> 0% <SEP> 4139 <SEP> 0, <SEP> 111 <SEP> 81. <SEP> 10-5 <SEP> 52.10-5
<tb> F <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 07 <SEP> 63800 <SEP> 4060 <SEP> 3,2% <SEP> 4127 <SEP> 0,132 <SEP> 81. <SEP> 10-5 <SEP> 51. <SEP> 10-5
<tb> hTiO2 <SEP> = <SEP> 0,015 <SEP> #0
<tb> 6 <SEP> h/#0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> R-a-R <SEP> v(m/s) <SEP> k <SEP> &alpha;0 <SEP> C0
<tb> A <SEP> 34 <SEP> 0,05 <SEP> #105 <SEP> 8750 <SEP> 2, <SEP> 5% <SEP> 4161 <SEP> 0, <SEP> 081 <SEP> 77.10-5 <SEP> 59. <SEP> 105
<tb> B <SEP> 36 <SEP> 0,05 <SEP> 18900 <SEP> 39900 <SEP> 2,4% <SEP> 4163 <SEP> 0, <SEP> 079 <SEP> 77. <SEP> 10-5 <SEP> 59. <SEP> 10-5
<tb> C <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 4540. <SEP> 10s <SEP> 2, <SEP> 4% <SEP> 4165 <SEP> 0, <SEP> 078 <SEP> 76. <SEP> 10-5 <SEP> 59. <SEP> 10'5
<tb> 0 <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 60800 <SEP> 11300 <SEP> 2, <SEP> 6% <SEP> 4154 <SEP> 0, <SEP> 095 <SEP> 78. <SEP> 10-5 <SEP> 56. <SEP> 10-5
<tb> E <SEP> 38 <SEP> 0,06 <SEP> 7300 <SEP> 93000 <SEP> 2,6% <SEP> 4156 <SEP> 0, <SEP> 094 <SEP> 78. <SEP> 10-5 <SEP> 56. <SEP> 10-5
<tb> FFJ380, <SEP> 07 <SEP> 15500 <SEP> 14600 <SEP> 2,8% <SEP> 4144 <SEP> 0, <SEP> 112 <SEP> 79. <SEP> 10-5 <SEP> 54. <SEP> 10-5
<tb>
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<tb> A <SEP> 34 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 1700 <SEP> 900 <SEP> 4.0% <SEP> 4106 <SEP> 0.136 <SEP> 87. <SEP> 10- 5 <SEP> 45. <SEP> 10-5
<tb> B <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 4000 <SE> 1400 <SEP> 3.9% <SEP> 4109 <SEP> 0.134 <SEP> 86. <SEP> 105 <SEP> 45. <SEP> 10-5
<tb> C <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 16800 <SEP> 2600 <SEP> 3.9% <SEP> 4112 <SEP> 0.132 <SEP> 85. <SEP> 10- 5 <SEP> 45. <SEP> 105
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<tb> hTiO2 <SEP> = <SEP> 0.005 <SEP># 0
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<tb> A <SEP> 34 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 4100 <SEP> 1600 <SEP> 3.4% <SEP> 4126 <SEP> 0.114 <SEP> 84. <SEP> 10- 5 <SEP> 50.10-5
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<tb> E <SEP> 38 <SEP> 0.06 <SEP># 105 <SEP> 3300 <SEP> 3.5% <SEP> 4120 <SEP> 0.131 <SEP> 83. <SEP> 105 <SEP> 48. <SEP> 10-5
<tb> F <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 07 <SEP> 21900 <SE> 1700 <SEP> 3.7% <SEP> 4107 <SEP> 0.154 <SEP> 84. <SEP> 10- 5 <SEP> 47. <SEP> 10-5
<tb> hTiO2 <SEP> = <SEP> 0.010 <SEP># 0
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<tb> D <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 85500 <SEP> 3600 <SEP> 3, <SEP> 1% <SEP> 4137 <SEP> 0.113 <SEP> 81. <SEP > 10 ''<SEP> 52. <SEP> 10-5
<tb> E <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 45900 <SEQ> 10300 <SEP> 3, <SEQ> 0% <SEQ> 4139 <SEP> 0, <SEQ> 111 <SEP > 81. <SEP> 10-5 <SEP> 52.10-5
<tb> F <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 07 <SEP> 63800 <SEP> 4060 <SEP> 3.2% <SEP> 4127 <SEP> 0.132 <SEQ> 81. <SEP> 10- 5 <SEP> 51. <SEP> 10-5
<tb> hTiO2 <SEP> = <SEP> 0.015 <SEP># 0
<tb> 6 <SEP> h / # 0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> RaR <SEP> v (m / s) <SEP> k <SEP>&alpha; 0 <SEP> C0
<tb> A <SEP> 34 <SEP> 0.05 <SEP># 105 <SEP> 8750 <SEP> 2, <SEP> 5% <SEW> 4161 <SEW> 0, <SEP> 081 <SEP> 77.10 -5 <SEP> 59. <SEP> 105
<tb> B <SEP> 36 <SEP> 0.05 <SEP> 18900 <SEP> 39900 <SEP> 2.4% <SEQ> 4163 <SEP> 0, <SEP> 079 <SEP> 77. <SEP> 10-5 <SEP> 59. <SEP> 10-5
<tb> C <SEP> 38 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> 4540. <SEP> 10s <SEP> 2, <SEP> 4% <SEP> 4165 <SEP> 0, <SEP> 078 <SEP> 76. <SEP> 10-5 <SEP> 59. <SEP>10'5
<tb> 0 <SEP> 36 <SEP> 0, <SEP> 06 <SEP> 60800 <SE> 11300 <SEP> 2, <SEP> 6% <SEP> 4154 <SEP> 0, <SEP> 095 <SEP > 78. <SEP> 10-5 <SEP> 56. <SEP> 10-5
<tb> E <SEP> 38 <SEP> 0.06 <SEP> 7300 <SEP> 93000 <SEP> 2.6% <SEP> 4156 <SEP> 0, <SEP> 094 <SE> 78. <SEP> 10-5 <SEP> 56. <SEP> 10-5
<tb> FFJ380, <SEP> 07 <SEP> 15500 <SEQ> 14600 <SEP> 2.8% <SEQ> 4144 <SEP> 0, <SEQ> 112 <SEP> 79. <SEP> 10-5 <SEP > 54. <SEP> 10-5
<Tb>

Figure img00100002

Tableau 1 : Simulations avec LiTa03
Figure img00100002

Table 1: Simulations with LiTa03

<Desc/Clms Page number 11> <Desc / Clms Page number 11>

Figure img00110001
Figure img00110001

<tb>
<tb> hTiO2/#0 <SEP> h/#0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> v <SEP> (mis) <SEP> K <SEP> an <SEP> C
<tb> A'0,010 <SEP> 0, <SEP> 03 <SEP> #105 <SEP> #105 <SEP> 4497 <SEP> 0,176 <SEP> 141. <SEP> 10-' <SEP> 57. <SEP> 10''
<tb> B'0, <SEP> 015 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP> #105 <SEP> 10000 <SEP> 4488 <SEP> 0,211 <SEP> 138. <SEP> 10's <SEP> 57. <SEP> 10-5
<tb> C' <SEP> 0,020 <SEP> 0,06 <SEP> 12000 <SEP> 11000 <SEP> 4494 <SEP> 0, <SEP> 222 <SEP> 135. <SEP> 10-5 <SEP> 58. <SEP> 10'
<tb> Tableau <SEP> 2 <SEP> : <SEP> Simulations <SEP> avec <SEP> une <SEP> coupe <SEP> 41 Y-X <SEP> LiNbO3
<tb> hTiO2/#0 <SEP> h/#0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> v(m/s) <SEP> K <SEP> a <SEP> C
<tb> D'0,015 <SEP> 0,06 <SEP> 10000 <SEP> 53000 <SEP> 4495 <SEP> 0,183 <SEP> 100. <SEP> 10-5 <SEP> 50.10-5
<tb> E'0,020 <SEP> 0,07 <SEP> 4800 <SEP> 90000 <SEP> 4497 <SEP> 0,197 <SEP> 98. <SEP> 10'' <SEP> 52. <SEP> 10-5
<tb> F' <SEP> 0,025 <SEP> 0,08 <SEP> 3687 <SEP> #105 <SEP> 4497 <SEP> 0, <SEP> 216 <SEP> 95. <SEP> 10' <SEP> 54. <SEP> 10'
<tb>
Tableau 3 : Simulations avec une coupe 64 Y-X LiNbO3
<Tb>
<tb> hTiO2 / # 0 <SEP> h / # 0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> v <SEP> (mis) <SEP> K <SEP> an <SEP> C
<tb>A'0.010<SEP> 0, <SEP> 03 <SEP># 105 <SEP># 105 <SEP> 4497 <SEP> 0.176 <SEP> 141. <SEP> 10- <SEP> 57. <SEP> 10 ''
<tb>B'0,<SEP> 015 <SEP> 0, <SEP> 05 <SEP># 105 <SEP> 10000 <SEQ> 4488 <SEP> 0.211 <SEQ> 138. <SEP>10's<SEP> 57 <SEP> 10-5
<tb> C '<SEP> 0.020 <SEP> 0.06 <SEP> 12000 <SEP> 11000 <SEP> 4494 <SEP> 0, <SEP> 222 <SEP> 135. <SEP> 10-5 <SEP> 58. <SEP> 10 '
<tb> Table <SEP> 2 <SEP>: <SEP> Simulations <SEP> with <SEP> a <SEP> cut <SEP> 41 YX <SEP> LiNbO3
<tb> hTiO2 / # 0 <SEP> h / # 0 <SEP> Qr <SEP> Qar <SEP> v (m / s) <SEP> K <SEP> a <SEP> C
<tb> 0.015 <SEP> 0.06 <SEP> 10000 <SEP> 53000 <SE> 4495 <SEP> 0.183 <SEP> 100. <SEP> 10-5 <SEP> 50.10-5
<tb>E'0.020<SEP> 0.07 <SEP> 4800 <SEP> 90000 <SEP> 4497 <SEP> 0.197 <SEP> 98. <SEP> 10 ''<SEP> 52. <SEP> 10-5
<tb> F '<SEP> 0.025 <SEP> 0.08 <SEP> 3687 <SEP># 105 <SEP> 4497 <SEP> 0, <SEP> 216 <SEP> 95. <SEP>10'<SEP> 54. <SEP> 10 '
<Tb>
Table 3: Simulations with a cut 64 YX LiNbO3

Claims (16)

REVENDICATIONS 1-Dispositif à ondes acoustiques de surface à faibles pertes (1) comprenant un substrat piézoélectrique (2), un ensemble d'électrodes conductrices (3), caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche mince (4) d'un matériau diélectrique de dureté et de permittivité diélectrique supérieures à celle du substrat, déposée de façon sensiblement uniforme sur la surface dudit substrat, les électrodes étant disposées sur ladite couche. 1-Low-loss surface acoustic wave device (1) comprising a piezoelectric substrate (2), a set of conductive electrodes (3), characterized in that it further comprises a thin layer (4) of a dielectric material of hardness and dielectric permittivity greater than that of the substrate, deposited substantially uniformly on the surface of said substrate, the electrodes being disposed on said layer. 2-Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau diélectrique est constitué de dioxyde de Titane Tri02.  2-Device according to claim 1, characterized in that the dielectric material consists of titanium dioxide Tri02. 3-Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau diélectrique est constitué d'oxyde de Niobum NbOg.  3-Device according to claim 1, characterized in that the dielectric material consists of Niobum oxide NbOg. 4-Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de matériau diélectrique est sensiblement comprise entre 0,1% et 5% de la longueur d'onde d'une onde acoustique de surface excitée sur ladite surface dudit substrat piézoélectrique.  4-Device according to one of the preceding claims, characterized in that the thickness of the dielectric material layer is substantially between 0.1% and 5% of the wavelength of a surface acoustic wave excited on said surface of said piezoelectric substrate. 5-Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les électrodes sont faites en Aluminium pur (AI), en alliage Aluminium/Cuivre (AI/Cu), en Cuivre pur (Cu) ou en Or (Au).  5-Device according to one of the preceding claims, characterized in that the electrodes are made of pure aluminum (AI), aluminum alloy / copper (AI / Cu), pure copper (Cu) or gold (Au). 6-Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'épaisseur des électrodes est sensiblement comprise entre 1% et 15% de la longueur d'onde d'une onde acoustique de surface excitée sur ladite surface dudit substrat piézoélectrique.  6-Device according to one of the preceding claims, characterized in that the thickness of the electrodes is substantially between 1% and 15% of the wavelength of a surface acoustic wave excited on said surface of said piezoelectric substrate. 7-Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat piézoélectrique est formé à partir de cristal de Tantalate de Lithium LiTa03.  7-Device according to one of the preceding claims, characterized in that the piezoelectric substrate is formed from lithium tantalate crystal LiTa03. 8-Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'angle de coupe (8) du cristal de LiTaOg est compris sensiblement entre 34 et 380, en ce que la couche mince diélectrique est formée de dioxyde de Titane et présente une épaisseur comprise sensiblement entre 0,1% et 3% de la longueur d'onde d'une onde acoustique de surface excitée sur la surface dudit substrat et en ce que l'épaisseur des électrodes est déterminée, pour un angle de coupe donné, en fonction de l'épaisseur de la couche de Ti02 de telle sorte à rendre minimales les pertes de propagation.  8-Device according to claim 7, characterized in that the cutting angle (8) of the LiTaOg crystal is substantially between 34 and 380, in that the thin dielectric layer is formed of titanium dioxide and has a thickness of substantially between 0.1% and 3% of the wavelength of a surface acoustic wave excited on the surface of said substrate and in that the thickness of the electrodes is determined, for a given angle of cut, as a function of the thickness of the TiO 2 layer so as to minimize propagation losses. <Desc/Clms Page number 13> <Desc / Clms Page number 13> 9-Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'angle de coupe (8) du cristal de LiTa03 se situe sensiblement entre 360 et 370, en ce que l'épaisseur de la couche de Ti02 est comprise sensiblement entre 0,1 % et 2% de ladite longueur d'onde et en ce que l'épaisseur des électrodes est comprise sensiblement entre 3% et 10% de ladite longueur d'onde.  9-Device according to claim 8, characterized in that the cutting angle (8) of the LiTaO3 crystal is substantially between 360 and 370, in that the thickness of the TiO 2 layer is substantially between 0.1 % and 2% of said wavelength and in that the thickness of the electrodes is substantially between 3% and 10% of said wavelength. 10- Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de Ti02 est comprise sensiblement entre 1. 0 % et 2% de ladite longueur d'onde et en ce que l'épaisseur des électrodes est comprise sensiblement entre 6% et 10% de ladite longueur d'onde.  10- Device according to claim 9, characterized in that the thickness of the TiO 2 layer is substantially between 1. 0% and 2% of said wavelength and in that the thickness of the electrodes is substantially between 6% and 10% of said wavelength. 11-Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le substrat piézoélectrique est formé à partir de cristal de Niobate de Lithium LiNbO,.  11-Device according to one of claims 1 to 6, characterized in that the piezoelectric substrate is formed from lithium Niobate crystal LiNbO. 12-Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'angle de coupe (8) du cristal de LiNbOg est compris sensiblement entre 350 et 700, en ce que la couche mince diélectrique est formée de dioxyde de Titane et présente une épaisseur comprise sensiblement entre 0,1% et 3% de la longueur d'onde d'une onde acoustique de surface excitée sur la surface dudit substrat et en ce que l'épaisseur des électrodes est déterminée, pour un angle de coupe donné, en fonction de l'épaisseur de la couche de Ti02 de telle sorte à rendre minimales les pertes de propagation.  12-Device according to claim 11, characterized in that the cutting angle (8) of the LiNbOg crystal is substantially between 350 and 700, in that the thin dielectric layer is formed of titanium dioxide and has a thickness of substantially between 0.1% and 3% of the wavelength of a surface acoustic wave excited on the surface of said substrate and in that the thickness of the electrodes is determined, for a given angle of cut, as a function of the thickness of the TiO 2 layer so as to minimize propagation losses. 13-Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'angle de coupe (0) du cristal de LiNb03 se situe autour de 41 , en ce que l'épaisseur de la couche de Ti02 est comprise sensiblement entre 0,1 % et 3% de ladite longueur d'onde et en ce que l'épaisseur des électrodes est comprise sensiblement entre 2% et 10% de ladite longueur d'onde.  13-Device according to claim 12, characterized in that the cutting angle (0) of the crystal of LiNb03 is around 41, in that the thickness of the TiO 2 layer is substantially between 0.1% and 3% of said wavelength and in that the thickness of the electrodes is substantially between 2% and 10% of said wavelength. 14- Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de TiO2 est comprise sensiblement entre 2.0 % et 3% de ladite longueur d'onde et en ce que l'épaisseur des électrodes est comprise sensiblement entre 6% et 10% de ladite longueur d'onde.  14- Device according to claim 13, characterized in that the thickness of the TiO2 layer is substantially between 2.0% and 3% of said wavelength and in that the thickness of the electrodes is substantially between 6% and 10% of said wavelength. 15-Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'angle de coupe (8) du cristal de LiNbOg se situe autour de 640, en ce que l'épaisseur de la couche de Ti02 est comprise sensiblement entre 0,1 % et 3% de ladite longueur d'onde et en ce que l'épaisseur des électrodes est comprise sensiblement entre 2% et 10% de ladite longueur d'onde.  15-Device according to claim 11, characterized in that the cutting angle (8) of the LiNbOg crystal is around 640, in that the thickness of the TiO 2 layer is substantially between 0.1% and 3% of said wavelength and in that the thickness of the electrodes is substantially between 2% and 10% of said wavelength. <Desc/Clms Page number 14> <Desc / Clms Page number 14> . 16- Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche de Ti02 est comprise sensiblement entre 2. 5 % et 3% de ladite longueur d'onde et en ce que l'épaisseur des électrodes est comprise sensiblement entre 8% et 10% de ladite longueur d'onde. . 16- Device according to claim 15, characterized in that the thickness of the TiO 2 layer is substantially between 2.5% and 3% of said wavelength and in that the thickness of the electrodes is substantially between 8% and 10% of said wavelength.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7688161B2 (en) * 2006-10-25 2010-03-30 Fujitsu Media Devices Limited Acoustic wave device and filter using the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100892195B1 (en) * 2002-03-06 2009-04-07 파나소닉 주식회사 Surface acoustic wave filters, balanced circuits and communication devices
WO2006069220A2 (en) 2004-12-22 2006-06-29 Ambrx, Inc. Modified human growth hormone
US7439648B2 (en) 2004-08-27 2008-10-21 Kyocera Corporation Surface acoustic wave device and manufacturing method therefor, and communications equipment
CN115781946B (en) * 2022-11-29 2024-06-04 山东大学 Compression type high-temperature piezoelectric sensitive cutting type lithium niobate crystal, preparation and application

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757250A (en) * 1995-03-06 1998-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave module with thin film for wave transmission velocity differentiation
WO1998051008A1 (en) * 1997-05-09 1998-11-12 Kobe Steel Usa Inc. Surface acoustic wave devices containing isolated interdigitated electrodes

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3760299A (en) * 1971-08-09 1973-09-18 Hazeltine Corp Acoustic surface wave-apparatus having dielectric material separating transducer from acoustic medium

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5757250A (en) * 1995-03-06 1998-05-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave module with thin film for wave transmission velocity differentiation
WO1998051008A1 (en) * 1997-05-09 1998-11-12 Kobe Steel Usa Inc. Surface acoustic wave devices containing isolated interdigitated electrodes

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YAMANOUCHI K: "GHZ-RANGE UNIDIRECTIONAL LOW-LOSS SAW FILTERS AND FINE LITHOGRAPHY TECHNOLOGY", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, PUBLICATION OFFICE JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. TOKYO, JP, vol. 30, no. SUPPL30-1, 1991, pages 12 - 16, XP000305653, ISSN: 0021-4922 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7688161B2 (en) * 2006-10-25 2010-03-30 Fujitsu Media Devices Limited Acoustic wave device and filter using the same

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